① 氮化鎵成「十四五規劃」重點項目，16家晶元原廠曝光
從2018年開始，多款基於氮化鎵技術開發的快充充電器相繼量產，氮化鎵也正式開啟了在消費類電源領域商用。
近日，氮化鎵半導體材料被正式寫入「十四五規劃」中，這就意味著氮化鎵產業將在未來的發展中獲得國家層面的大力扶持，前景十分值得期待。
氮化鎵（gallium nitride，GaN）屬於第三代半導體材料，其運行速度比傳統硅（Si）技術加快了二十倍，並且能夠實現高出三倍的功率，用於尖端快速充電器產品時，可以實現遠遠超過現有產品的性能，在尺寸相同的情況下，輸出功率提高了三倍。
氮化鎵新技術應用領域廣闊，覆蓋5G通信、人工智慧、自動駕駛、數據中心、快充等等，這其中快充市場發展最為迅猛，成為先進技術普惠大眾的一個標桿應用，可謂是人人都能享受到新技術從實驗室走向市場的便利；而快充出貨量、需求量龐大，也反哺了氮化鎵技術的不斷迭代。快充與氮化鎵，堪稱天生一對。
憑借優秀的性能，兩年來氮化鎵技術在快充電源方面的發展一路突飛猛進，普及速度十分快，獲得越來越來越多品牌客戶和消費者的認可。而作為氮化鎵快充的核心器件，GaN功率晶元也一直都是大家關注的焦點。
充電頭網通過長期跟蹤調研了解到，近兩年時間里，業內GaN功率晶元供應商也從起初的一兩家迅速增長至十餘家。今天這篇文章就是帶大家詳細的了解一下當前快充領域的氮化鎵功率晶元領域的主要玩家。
眾多廠商入局氮化鎵功率器件
面對日益增長的快充市場，全球范圍內已有納微、PI、英諾賽科、英飛凌、意法半導體、Texas Instruments、GaNsystems、艾科微、聚能創芯、東科半導體、氮矽 科技 、鎵未來、量芯微、Transphorm、能華、芯冠 科技 等16家氮化鎵功率晶元供應商。
值得一提的是，英諾賽科蘇州第三代半導體基地在去年9月舉行設備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導體基地開始由廠房建設階段進入量產准備階段，標志著全球最大氮化鎵工廠正式建設完成，同時也預示中國功率半導體步入一個嶄新時代。
充電頭網通過整理了解到，目前市面上合封氮化鎵晶元可分為以下四種類型：
控制器+驅動器+GaN：這種方式以老牌電源晶元品牌PI為代表，其基於InSOP-24D封裝，推出了十餘款合封主控、氮化鎵功率器件、同步整流控制器等的高集成氮化鎵晶元，PowiGaN晶元獲眾多品牌青睞，成為了合封氮化鎵快充晶元領域的領導者。
此外在本土供應商中，東科半導體率先推出兩款合封氮化鎵功率器件的主控晶元DKG045Q和DKG065Q， 對應的最大輸出功率分別為45W和65W。這兩款晶元在節約系統成本，加速產品上市方面均有著巨大的優勢，並有望在2021年量產。
驅動器+GaN：這種合封的氮化鎵功率晶元以納微半導體為主要代表，其為業界首家推出內置驅動氮化鎵功率晶元的廠商，憑借精簡的外圍設計，獲得廣大工程師及電源廠商青睞，在2020年底，達成晶元出貨量突破1300萬顆的好成績。
驅動器+2*GaN：合封兩顆氮化鎵功率器件以及驅動器的雙管半橋產品，其集成度較傳統的氮化鎵功率器件更高。這類產品應用於ACF架構，以及LLC架構的氮化鎵快充產品中，可以實現更加精簡的外圍設計。目前納微半導體、英飛凌、意法半導體等廠商在這類合封氮化鎵晶元方面均有布局。
驅動器+保護+GaN：納微半導體近期推出了新一代氮化鎵功率晶元NV6128，集成GaN FET、驅動器和邏輯保護器件。將保護電路也加入氮化鎵器件中，通過整合開關管和邏輯電路，可得到更低的寄生參數以及更短的響應時間。該晶元可以實現數字輸入，功率輸出高性能，電源工程師可基於此設計出更快更小更高速的電源。
氮化鎵晶元品牌盤點
以下排名不分先後，僅按照品牌首字母排序，方便讀者查閱。
ARK艾科微
艾科微電子專注於高功率密度整體方案開發, 並以解決高功率密度電源系統帶來的痛點與瓶頸為使命, 核心團隊具備超過 20 年專業經驗於功率半導體產業, 我們透過不斷的創新及前瞻的系統架構並深入結合功率器件及高效能封裝, 來實現高品質、高效能與純凈的電源系統，以滿足市場對未來的需求。
艾科微在AC/DC 快充方案上不僅推出原副邊晶元, 另有自主的開發MOSFET功率器件。伴隨各種應用上電子產品針對高功率密度之強烈需求，我們承諾持續投資、創新、研發並一同與我們的合作夥伴引領市場、開創未來。
Cohenius聚能創芯
青島聚能創芯微電子有限公司成立於2018年7月，公司坐落於青島國際創新園區，主要從事第三代半導體硅基氮化鎵（GaN）的研發、設計、生產和銷售，專注於為業界提供高性能、低成本的GaN功率器件產品和技術解決方案。
聚能創芯掌握業界領先的GaN功率器件與應用設計技術，致力於整合業界優勢資源，打造GaN器件開發與應用生態系統，為PD快充、智能家電、雲計算、5G通訊等提供國產化核心元器件支持。
背靠上市公司賽微電子（300456）與知名投資基金支持，聚能創芯建立了業界領先的管理和技術團隊。在產品研發與量產過程中，始終堅持高品質與高可靠性的要求。在得到合作夥伴廣泛認同的同時，逐步成為第三代半導體領域的國際知名企業。
在消費類電源領域，聚能創芯面向快充應用國產化GaN材料和器件技術解決方案，並基於現有的氮化鎵功率器件推出全新65W、100W、120W氮化鎵快充參考設計。
Corenergy能華
江蘇能華微電子 科技 發展有限公司是由留美歸國博士於2010年創建。團隊匯集了眾多海內外的專業人才，是一家專業設計、研發、生產、製造和銷售高性能氮化鎵外延、晶圓、器件及模塊的高 科技 公司。
氮化鎵（GaN）是新一代復合半導體的代表，江蘇能華已建立了GaN功率器件生產線。項目計劃總投資50個億，分期投資。預計第一期投資超10個億。公司於2017年搬入張家港國家再製造產業園，新廠房佔地3萬平方，擁有萬級、千級以及百級的無塵車間，並配備有先進的生產設備以及專業的技術人員。
DANXI氮矽 科技
成都氮矽 科技 有限公司是一家專注於第三代半導體氮化鎵功率器件與IC研發的 科技 型公司，專注於氮化鎵功率器件及其驅動晶元的設計研發、銷售及方案提供，公司兩位創始人均擁有超過5年的氮化鎵領域相關研發經驗。
氮矽 科技 於2020年3月發布國內首款氮化鎵超高速驅動器DX1001，同年4月推出國內多款量產級別的650V氮化鎵功率晶元DX6515/6510/6508，搭配該公司的驅動晶元，進軍PD快充行業。
值得一提的是，氮矽 科技 還推出了業內最小尺寸、最強散熱能力的650V/160mΩ氮化鎵晶體管，引領氮化鎵產業革命。基於現有的氮化鎵功率器件，氮矽 科技 推出4套國產GaN快充參考設計，豐富快充電源工程師的產品選型需求。
DONGKE東科
安徽省東科半導體有限公司於2009年成立，總部位於安徽省馬鞍山市，主要從事開關電源晶元、同步整流晶元、BUCK電路電源晶元等產品研發、生產和銷售；並成立深圳及無錫全資子公司和印度公司，負責全球市場銷售及技術支持。
東科半導體在北京、青島、無錫、深圳多地成立研發中心，多名海歸博士主持研發 探索 ，在安徽馬鞍山擁有2萬平方米的封裝車間和品質實驗室，擁有DIP-8/SOP-8/SM-7/SM-10/TO-220等多種產品封裝能力；在東科半導體總部成立的馬鞍山集成電路國家實驗室，具備對晶元進行開封、失效分析、中測、劃片、高低溫測試等多種分析能力，為公司產品品質和供貨提供可靠保障。
針對快充領域的應用，東科半導體推出了業界首顆合封氮化鎵功率器件的電源晶元，成為了國產氮化鎵快充發展史上的里程碑。
GaN system氮化鎵系統公司
GaN Systems於2008年成立於加拿大首都渥太華，創始人是前北電的資深功率半導體專家。公司專注於增強型氮化鎵功率器件的開發，提供高性能、高可靠性的增強型硅基GaN HEMT功率器件。
GaN Systems擁有專利的GaN晶元設計，GaNPx 晶元級封裝技術和市場上最全的650V和 100V產品系列，涵蓋了從小功率消費電子到幾十kW以上工業級電源應用。
GaN Systems採用無晶圓廠模式，與世界級代工廠和供應鏈合作。產品自2014年開始量產以來，在全球范圍服務超過2000家客戶。在中日韓和北美及歐洲設有銷售分公司和應用支持。據了解，目前GaN Systems的氮化鎵功率晶元已經進入飛利浦快充供應鏈。
GaNext鎵未來
珠海鎵未來 科技 有限公司成立於2020年10月，公司致力於第三代半導體GaN-on-Si器件技術創新和領先。通過高起點、強隊伍等，實現GaN技術的國產化，推動GaN器件的技術的*，並且通過電源系統的創新設計，實現能源的綠色、高效利用。
公司創始團隊由3位資深GaN-on-Si技術/產業專家構成，以深港微電子學院於洪宇教授和美國知名氮化鎵公司研發VP領銜，前華為GaN產業共同創始人加盟，構建了完整的技術、製造、市場的鐵三角，厚積薄發。通過成熟領先的產品，推動GaN技術國產化，依託中國巨大電源應用市場和國家第三代半導體產業政策的支持，向氮化鎵產業頂峰進軍，助力國家第三代半導體產業目標的突破。
GaNPower量芯微
蘇州量芯微半導體有限公司是加拿大GaNPower International Inc.在中國注冊成立的公司。GaNPower於2015年在加拿大成立，總部位於加拿大溫哥華市。GaNPower是全球氮化鎵功率器件行業的知名公司，目前產品主要為涵蓋不同電流等級及封裝形式的增強型氮化鎵功率器件及氮化鎵基電力電子先進應用解決方案。
蘇州量芯微半導體公於2019年榮獲蘇州工業園區第十三屆金雞湖 科技 領軍人才稱號；《氮化鎵功率器件及相關產業化應用》被列為政府重點扶持項目。公司的氮化鎵功率器件產品榮獲行業權威大獎：2020年ASPENCORE中國IC設計成就獎之年度功率器件獎。公司目前擁有40項美國和中國的專利及申請。
據悉，量芯微半導體已經推出650V氮化鎵功率器件，適用於45W-300W快充。
Innoscience英諾賽科
英諾賽科 科技 有限公司成立於2015年12月，國家級高新技術企業，致力於研發和生產8英寸硅基氮化鎵功率器件與射頻器件；英諾賽科是全球最大的氮化鎵功率器件IDM 企業之一， 擁有氮化鎵領域經驗最豐富的團隊、先進的8英寸機台設備、加上系統的研發品控分析能力，造就英諾賽科氮化鎵產品一流品質和性能的市場競爭優勢。
自從2017年建立全球首條8英寸增強型硅基氮化鎵功率器件量產線以來， 目前英諾賽科已經發布和銷售多款650V以下的氮化鎵功率器件，產品的各項性能指標均達到國際先進水平，能廣泛應用於多個新興領域， 如快充、5G 通信、人工智慧、自動駕駛、數據中心等等。
目前，英諾賽科已經建成了全球最大的氮化鎵工廠，在USB PD氮化鎵快充市場，英諾賽科650V高壓氮化鎵功率器件已經在努比亞、魅族、MOMAX、ROCK等眾多知名品牌產品中得到應用，並在近期推出第二代InnoGaN產品，性能較上一代有顯著提升。
此外，英諾賽科還推出了多款低壓GaN功率器件，適用於同步整流、DC-DC電壓轉換以及激光雷達等領域。在全球市場中，英諾賽科是少有具備氮化鎵高壓、低壓全品類產品線的IDM晶元原廠。
infineon英飛凌
英飛凌 科技 股份公司是全球領先的半導體 科技 公司，我們讓人們的生活更加便利、安全和環保。英飛凌的微電子產品和解決方案將帶您通往美好的未來。2020財年（截止9月30日），公司的銷售額達85億歐元，在全球范圍內擁有約46,700名員工。2020年4月，英飛凌正式完成了對賽普拉斯半導體公司的收購，成功躋身全球十大半導體製造商之一。
英飛凌電源與感測系統事業部提供應用廣泛的電源、連接、射頻（RF）及感測技術，讓充電設備、電動工具、照明系統在變得更小、更輕便的同時，還能提升能效。新一代的硅基/寬禁帶半導體解決方案（碳化硅/氮化鎵）將為5G、大數據及可再生能源應用，帶來前所未有的突出性能和可靠性。
高精度XENSIV 感測器解決方案為物聯網設備賦予了人類的感官功能，讓這些設備能夠感知周遭的環境，並做出「本能」反應。音頻放大器產品擴充了電源與感測系統事業部的產品線，讓智能音箱及其它音頻應用設備能夠提供卓越的音質體驗。
Navitas納微
納微半導體是全球領先氮化鎵功率IC公司，成立於2014年，總部位於愛爾蘭，擁有一支強大且不斷壯大的功率半導體行業專家團隊，在材料、器件、應用、系統、設計和市場營銷方面，擁有行業領先的豐富經驗，公司創始者擁有320多項專利。
GaNFast功率IC將GaN功率（FET）與驅動，控制和保護集成在一起，可為移動、消費電子、企業、電動交通和新能源市場提供更快的充電，更高的功率密度和更強大的節能效果。納微在GaN器件、晶元設計、封裝、應用和系統的所有方面已發布和正在申請的專利超過120項，已完成生產並成功交付了超過1300萬顆GaNFast氮化鎵功率IC，產品質量和出貨量全球領先。
近期，納微半導體也推出了最新一代氮化鎵功率晶元NV6128，內置驅動和保護功能，適用於大功率快充產品。憑借優異的產品性能，納微半導體已經成為小米、OPPO、聯想、戴爾、LG等眾多知名品牌的氮化鎵晶元供應商，基於GaNFast晶元開發的產品多達百餘款。
PI
Power Integrations 是一家專注於高壓電源管理及控制領域的高性能電子元器件及電源方案的供應商，總部位於美國矽谷。
PI所推出的集成電路和二極體為包括移動設備、家電、智能電表、LED燈以及工業應用的眾多電子產品設計出小巧緊湊的高能效AC-DC電源。SCALE 門極驅動器可提高大功率應用的效率、可靠性和成本效益，其應用領域包括工業電機、太陽能和風能系統、電動 汽車 和高壓直流輸電等。
自1998年問世以來，Power Integrations的EcoSmart 節能技術已節省了數十億美元的能耗，避免了數以百萬噸的碳排放。由於產品對環境保護的作用，Power Integrations的股票已被歸入到由Cleantech Group LLC及Clean Edge贊助的環保技術股票指數下。
充電頭網拆解了解到，PI的氮化鎵晶元已被小米、OPPO、ANKER、綠聯、belkin等多個品牌的快充產品採用。此外，PI還推出了全新的MinE-CAP IC，用於快充充電器時，體積可縮小40％。
ST意法半導體
意法半導體（STMicroelectronics; ST）是全球領先的半導體公司，提供與日常生活息息相關的智能的、高能效的產品及解決方案。意法半導體的產品無處不在，致力於與客戶共同努力實現智能駕駛、智能工廠、智慧城市和智能家居，以及下一代移動和物聯網產品。享受 科技 、享受生活，意法半導體主張 科技 引領智能生活（life.augmented）的理念。意法半導體2018年凈收入96.6億美元，在全球擁有10萬余客戶。
目前，ST意法半導體推出了一款GaN半橋器件，內置驅動器和兩顆氮化鎵，並基於該晶元推出了一套推出65W氮化鎵快充參考設計。
Texas Instruments德州儀器
德州儀器 （Texas Instruments）是全球領先的半導體公司，致力於設計、製造、測試和銷售模擬和嵌入式處理晶元。數十年來，TI一直在不斷取得進展，推出的80000多種產品可幫助約100000名客戶高效地管理電源、准確地感應和傳輸數據並在其設計中提供核心控制或處理，從而打入工業、 汽車 、個人電子產品、通信設備和企業系統等市場。
2020年11月10日，德州儀器推出了650V和600V兩款氮化鎵功率器件，進一步豐富拓展了其高壓電源管理產品線。與現有解決方案相比，新的GaN FET系列採用快速切換的2.2 MHz集成柵極驅動器，可幫助工程師提供兩倍的功率密度和高達99％的效率，並將電源磁性器件的尺寸減少59％。
Transphorm
Transphorm公司致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵（GaN）半導體功率器件。Transphorm持有數量極為龐大的知識產權組合，在全球已獲准和等待審批的專利超過1000多項 ，是業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的GaN FET的IDM企業之一。
得益於垂直整合的業務模式，Transphorm公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新——包括設計、製造、器件和應用支持。充電頭網拆解了解到，此前ROMOSS推出的一款65W氮化鎵充電器內置的正式Transphorm公司的GaN器件。
XINGUAN芯冠 科技
大連芯冠 科技 有限公司是全球領先的第三代半導體氮化鎵外延及器件製造商，致力於硅基氮化鎵外延與功率器件的研發、設計、生產和推廣，擁有先進的外延材料與功率器件生產線，提供650V全規格的功率器件產品，電源功率的應用覆蓋幾十瓦到幾千瓦范圍。廣泛應用於消費類電子（快充、大功率適配器等）、工業電子與 汽車 電子等領域。
芯冠氮化鎵功率器件的特點是兼容標准MOS驅動，應用設計簡單；抗擊穿電壓高達1500V以上，使用安心。
充電頭網總結
從三年前GaN技術開始在消費類電源領域商用，到如今市售GaN快充已經多達數百款，市場發展速度可謂是突飛猛進。這一方面是藉助各大手機、筆電廠商陸續入局的產生的品牌影效應，另一方面也離不開氮化鎵快充生態的日趨完善。
就充電頭網本次不完全統計，已經布局快充市場的氮化鎵晶元供應商已經多達16家，方案多達數百款；並且涵蓋了多樣化的封裝方式，完全可以滿足當前快充電源市場對核心器件的選型需求。
相信隨著國家十四五規劃對氮化鎵產業的大力扶持，入局氮化鎵功率晶元的廠商數量將越來越多。不僅產品類型將會的得到進一步完善，更重要的是當氮化鎵產業呈現規模化發展後，電源廠商開發氮化鎵快充的成本將會得到優化；而氮化鎵功率晶元也將成為越來越多高性能快充電源產品的首選。
② 半導體ADC晶元黑馬股，打破壟斷比肩國際水平，業績營收穩增長
ADC晶元主要看兩個基本指標，一個是 速度 ，一個是 精度解析度 。顧名思義，速度代表ADC可以轉換帶寬的模擬信號帶寬，帶寬對應於模擬信號頻譜中的最大頻率。精度是轉換後的數字信號與原始模擬信號之間差異的度量。什麼是 高端ADC晶元 ？簡而言之，它是與消費電子市場不同的ADC晶元。 主要用於軍事工業，航空航天，有線和無線通信， 汽車 ，工業和醫療儀器（核磁共振，超聲）等。 對過程，性能和可靠性有極高要求的領域。
芯海 科技 的主要產品是低速和高精度ADC信號鏈晶元和高可靠性MCU晶元 。主要應用領域是智能 健康 ，壓力觸摸，智能家居，工業測量和微處理器。該公司是 國內為數不多的能夠跨越模擬電路和數字電路技術兩個主要領域的信號鏈晶元公司之一 ，掌握了全球人工智慧物聯網基礎設施的測量和控制的兩個主要節點，並將其與自己的ADC和MCU技術結合使用，可為AIoT設備提供「精度」。 Perception ADC +精確控制MCU +精確AI演算法」來實現信號鏈生態閉環的一站式解決方案。具體包括：①高精度ADC晶元：通過測量現實世界中的模擬信號並將其轉換數字化；互聯網時代的興起要求全球約50％的電子產品ADC晶元/模塊主要用於對技術和性能要求極高的領域，同時，MCU被用作智能的核心。控制，並將CPU和內存集成在晶元上形成晶元級計算機已成為信息產業和工業控制的基礎。②信號鏈MCU晶元：從測量到計算再到控制，信號鏈的完整閉環形成； Chipsea競爭的核心價值點主要在於高精度感測技術，可靠性和高可靠性控制技術，公司積累了高精度智力的離子測量ADC / AFE技術已有很多年了，後者來自該公司對高可靠性MCU晶元技術的積累。
芯海 科技 的下遊客戶包括小米，華為等，公司將資源集中在晶元設計和研發上，以提高公司對下遊客戶的響應效率；在分銷模式方面：（智能醫療晶元銷往小米，華米，樂心、香山），卓新微（通用微處理器晶元銷往萬魔聲學），威盛康 科技 和中電國際信息 科技 等下游優質分銷商達成長期，深厚而穩定的合作關系；公司的上游采購主要集中在晶元製造成本上，公司是一家無晶圓廠模式集成電路設計公司，專注於集成電路設計，這有助於更快，更好地響應市場需求的變化。公司與華虹半導體，天水華天，易兆微，中芯國際等國內的專業集成電路製造，封裝和測試公司建立了穩定的合作關系，有效地保證了晶元生產能力。
芯海 科技 經歷17年的發展， 已打破國外對國內高精度ADC的壟斷，是目前國內高精度晶元23.5有效數字的記錄保持者，其24位低速高精度晶元CS1232的差分輸入阻抗高達5GΩ，誤差溫度漂移低至0.5ppm / ，解析度超過百萬分之一，在業界處於高水平同類晶元中的標准 。在智能 健康 晶元方面，公司的代表性產品主要是CS125X系列晶元（主要用於人體脂肪秤，紅外線額頭溫度計等）。主要競爭對手是國際知名的TI公司。在MCU晶元領域，中國MCU市場相對分散，芯海 科技 具有獨特的技術優勢和巨大的潛力， 目前，中國的MCU市場仍然主要由意法半導體，恩智浦和瑞薩 科技 等外國製造商佔領。排名前八位的國外MCU製造商占據了84.08％的市場。盡管國內市場也像兆易創新，中穎電子等MCU廠商脫穎而出，但整體市場份額仍然較低，從替代進口的角度來看，國內的MCU晶元設計公司還有很大的提升空間。
芯海 科技 當前最高級的MCU微控制器晶元是32位產品，主要用於電源快速充電領域。當前的32位MCU產品主要是CS32G020 / 021系列，標准工業產品是賽普拉斯的CCG3PA系列和ST的STM32G071K8系列。 MCU晶元的應用領域非常廣泛，集成電路領域的市場規模相對較大。目前，中國的MCU市場仍由ST（STMicroelectronics）和NXP（NXP）等國外製造商的MCU主導。國內的MCU晶元設計公司有很大的提升空間。 與國內第一梯隊公司兆易創新，中穎電子等公司由於終端應用領域的不同，與公司沒有直接的競爭關系。兆易創新主要是32位的應用於物聯網，工業控制等。在該領域，公司的MCU晶元目前是8位的，主要用於電子消費產品，32位MCU產品目前主要用於電源快速充電領域。
2020年前三季度公司營業收入為2.54億元，同比增長66.88％；其中，第三季度實現營業收入9400萬元，同比增長59.49％，歸屬於母公司所有者的凈利潤6100萬元，同比增長216.62％。
A股上市公司半導體信號鏈晶元黑馬股芯海 科技 自上市以來保持震盪上行格局，主力階段性控盤結構，據大數據統計，獲利籌碼約為95%，主力籌碼約為54%，主力控盤比率約為41%， 趨勢研判與多空研判方面可以參考15日EXPMA與35日EXPMA。
③ 兆易創新：錯失的大牛股！提升認知吧
1、這只股票去年5月份買入，並且在公眾號發文推薦這只股票。結果在股價160元左右，我覺得估值太高了，減倉了。結果，去年最高漲到428元，現在277元。略表遺憾，哈哈。但是， 如果讓我從新選一次，我還是會這樣操作。因為對DRAM的認知不足，貪不得。
2、2019年業績可謂亮麗：營業收入 32.03億元，同比增長 42.62%；歸屬於上市公司股東的凈利潤 6.07億元，同比增長 49.85%；經營現金流凈值9.67億，同比增長56.11%。其中，營收增長主要來源於儲存晶元的增長（+7.17億）。另外，合並報表的思立微也貢獻了2.03億的收入。2020年Q1季報，營收8.05億元，同比增長76.51%；歸母凈利潤1.68億元，同比增長323.24%。經營現金流-7.08億。
3、兆易創新2015年營收11.89億，至2019年，復合年營收增長28.11%，去年是近幾年營收增長最快的一年；2015年利潤1.58億，至2019年，復合利潤增長40%。完完全全對得起「高增長」三個字。
4、儲存行業在2019年有了一個上升勢頭，但是疫情大大打擊了下游產品的需求，預估原來的上升勢頭會延後到2021年，今年就不要期待有業績增長了。受益於TWS耳機的需求，公司的NOR Flash出貨躍居全球第三，這個是重要看點，去年我看輕了TWS的威力，可惜。後期，對其他創新型消費電子的爆發，也比較期待。 汽車 行業的不景氣，讓公司MCU產品需求疲軟。
5、兆易的重中之重，是看DRAM。如果它的DRAM沒有搞出個名堂，現在900億的市值是非常貴的。如果DRAM能夠在世界佔有一席之地，估值天花板就極高了。現在我沒有持有兆易，因為我還在學習DRAM。另外，收集了一些DRAM的文章，公眾號回復「兆易」可看。共同學習！求業內人士交流！
……
（資料更新至2020一季度報，也將持續跟蹤）
NOR Flash 累計出貨量已經超過 100 億顆。2019年公司推出新一代高速 4 通道產品系列(GD25LT)， 是業內首款高速 4 通道 NOR Flash 解決方案，傳輸速率達 200MB/s;以及兼容 xSPI 規格的 8 通 道 SPI NOR Flash 產品系列(GD25LX)，傳輸速率達 400MB/s，是業內最高性能的 NOR Flash 解決方案之一。
目前公司 NOR Flash 產品工藝處於行業內主流技術水平，工藝節點主要為 65nm，同時有少量 55nm 工藝節點產品。2020 年公司將在現有基礎上著力推進 55nm 先進工藝節點系列產品。總體看它的產品還是中低端為主。
特別說明。TWS耳機大大拉動了需求！
根據 CINNO Research 產業研究，公司 NOR Flash 全球市場份額在第二季度實現突破，上升至全球第四，並在第三季度躍居全球第三。 發展速度較快。
累計出貨數量已超過 2 億顆，客戶數量超過 2萬家，目前已擁有 320 余個產品型號、22 個產品系列及 11 種不同封裝類型。目前，進一步擴展 MCU 產品組合，針對高性能、低成本和物聯網應用分別開發新產品。更低功耗和成本的 M4 和 M23 系列產品推出，繼續保持 M3 和 M4 產品市場的領先優勢。2019年8月推出的全球首顆基於RISC-V內核的32位通用MCU 產品。 GD32 作為中國 32 位通用 MCU 領域的主流產品，以 24 個系列 320 餘款產品選擇，覆蓋率穩居 市場前列，產品廣泛應用於工業和消費類嵌入式市場，適用於工業自動化、人機界面、電機控制、 光伏逆變器、安防監控、智能家居家電及物聯網等領域。
依據 IHS Markit 報告，在中國 Arm Cortex-M MCU 市場,2018 年公司銷售額排名為第三位，市場佔有率 9.4%。
公司通過對上海思立微電子 科技 有限公司收購進入感測器市場。在 2019 年公司提供嵌入式生物識別感測晶元，電容、超聲、光學模式指紋識別晶元以及自、互容觸控屏控制晶元。 感測器主要產品包括電容觸控晶元、指紋識別晶元，廣泛應用於新一代智能移動終端的感測 器模組，也適用於工業自動化、車載人機界面及物聯網等需要智能人機交互解決方案的領域。
在光學指紋感測器方面，積極優化 透鏡式光學指紋產品，並推出 LCD 屏下光學指紋、超小封裝透鏡式光學指紋產品、超薄光學指 紋產品、大面積 TFT 光學指紋產品，成為全行業唯一一家擁有指紋全部品類的公司。在 MEMS 超聲指紋感測器研發方面也取得了階段性進展。 依據賽迪數據，2018 年公司感測器業務(思立微)中，觸控晶元全球市場份額為 11.40%，排名第四；指紋晶元全球市場份額為 9.40%，排名第三。
目前中國大陸 DRAM 產業技術仍處發展階段，三星電子、SK 海力士和美國的美光 科技 ，占據全球 95%以上的市場份額。
2019 年 4 月 26 日，公司與合肥產投、 合肥長鑫集成電路有限責任公司簽署《可轉股債權投資協議》，約定以可轉股債權方式對項目投資 3 億元，並繼續研究商討後續合作方案。業務方面，公司將與合肥長鑫發揮優勢互補，探討在 DRAM 產品銷售、代工、以及工程端的多種合作模式。
長鑫底層技術來自奇夢達（Qimonda），後者自2006年從母公司英飛凌剝離後一路開掛，DRAM產品銷量並穩居全球第二，300mm晶圓領導者和PC及伺服器DRAM產品市場最大的供應商之一，戲劇化的是三年後其申請破產。長鑫通過與奇夢達的合作，共將一千多萬份DRAM相關的技術文件（大小約2.8TB）收入囊中，截止目前共有1.6萬項專利申請，據悉長鑫方面隨後對部分技術細節進行修改，以規避美國方面的實體名單出口制裁。
長鑫存儲於 2019 年 9 月亮相其 19納米工藝的 8Gb DDR4 晶元產品，實現中國 DRAM 技術的突破。同時這也是與世界主流產品同步的技術。目前長鑫官網上已經開始對外供應DDR4晶元、LPDDR4X晶元及DDR4模組。預計今年底擴展到4萬片晶圓/月，產能大約能佔到全球內存產能的3%。
2020 年繼續推進公司非公開發行股票事項，擬募集資金不超過約 43 億元，用以設計和開發 DDR3、 LPDDR3、DDR4、LPDDR4 系列 DRAM 晶元。預計，2021年實現量產。對了，長鑫存儲的董事長兼首席執行官是兆易的控制人朱一明，長鑫如果成了，兆易可以收購。
2019 年公司研發投入達到 3.78 億元，占營業收入 11.8%，相比 2018 年同期增長 64.33%。 公司在推出具備技術、成本優勢的全系列產品的同時，積累了大量的知識產權專利。截止 2019 年末，在涵蓋 NOR Flash、NAND Flash、MCU、指紋識別等晶元關鍵技術領域，公司已積累 1,195 項國內外有效的專利申請，其中 2019 年已提交新申請專利 201 項，新獲得 156 專利授權。
根據中國海關統計數據，2019 年中國集成電路進 口金額 3055.5 億美元，同比下降 2.1%;集成電路進口數量 4451.3 億個，同比增長 6.6%。2019 年中國集成電路出口金額 1015.8 億美元，同比增長 20.1%;集成電路出口數量 2187 億個，同比 增長 0.7%。 目前集成電路已經成為中國第一大進口商品，在當前中美貿易摩擦的情形下，集成電路產業國產替代大有可為。
2018 年 3 月，十三屆全國人大一次會議政府工作報告中，集成電路被列入加快製造 強國建設需推動的五大產業首位。根據《中國製造 2025》規劃目標，到 2020 年集成電路產業與 國際先進水平的差距逐步縮小，半導體產業自給率達到 40%。自 2016 年以來，國內開始出台了 大量政策，包括中央、地方促進第三代半導體產業的發展。在國家集成電路產業投資基金之外， 十幾個省市也已成立地方性產業基金。
1、NAND Flash 快閃記憶體 ：企業級 SSD 和智能手機成為兩大主力需求 ，需求量乏力，預估2020年市場也不樂觀。
2、NOR Flash 快閃記憶體：物聯網、5G 基站、 汽車 智能化、TWS 耳機等等都是需求來源，需求相當旺盛；根據 Morgan Stanley 研究報告評估，預計 2020 年 NOR Flash 全球營收較 2019 年相比將迎來 3%的增長 。
3、MCU 產品 ： 汽車 應用仍然是 MCU 產品最大的終端用戶市場，由於 汽車 市場的衰退，MCU市場相當慘淡，2019 年 MCU 營收較 2018 年預計下降 5.8% 至 165 億美元，全球 MCU 單位出貨量從 2018 年的 281 億顆下降至 269 億顆。 2020年還是看 汽車 市場。
4、指紋感測器晶元 ：2019 年指紋感測器的 出貨量將達到 9.9 億顆，同比增長約 12.5%。 雖然手機市場疲軟，但是指紋感測器應用實在上升期，未來需求也是增長狀態。預估至 2024 年，整體屏下指紋手機出貨量將達 11.8 億台，年 均復合增長率 CAGR 達 42.5%。
5、DRAM 晶元：DRAM 市場需求增長主要依靠手機和 Server 兩大市場，由於 PC、伺服器與智能手機等終端產品需求疲軟 ，根據 SIA(美國半導體行業協會)數據統計，與 2018 年相比，DRAM 產品 2019 年銷售 額下降了 37.1%。 2020年，這部分需求也不容樂觀。
公司是目前中國大陸領先的快閃記憶體晶元設計企業。據 TrendForce 數據統計，按營業收入計算， 公司 2018 年保持中國 IC 設計行業收入排名前十。
據 CINNO Research 對 2019 第三季度存儲產業研究報告顯示，公司 Nor Flash 市場份額提升到18.3%，超越賽普拉斯排名全球第三，前二名分別為華邦電子和旺宏電子。
依據 IHS Markit 報告，在中國 Arm Cortex-M MCU 市場,2018 年公司銷售額排名為第三位，市場佔有率 9.4%，前兩位分別為意法半導體(STMicroelectronics)和恩智浦半導體(NXP)。
依據賽迪數據，2018 年 公司感測器業務(思立微)中，觸控晶元全球市場份額為 11.40%，排名第四；指紋晶元全球市場份額為 9.40%，排名第三，前二位分別為匯頂 科技 、FPC。
1、該公司的NOR Flash技術相對低端，是大廠忽略、不做的市場，它是兆易當前的主業，未來應該是DRAM；
2、公司在快速擴張，橫向（收購思立微），縱向（DRAM研發）都在發力。DRAM或許能夠殺出一條出路，個人還需深入了解，歡迎業內人士交流；