hynix股票代碼

⑴ 急問：現代內存條的編號含義

這串編號是由14組數字組成的，這14組數字代表著14組不同的重要參數，分別如下：

·「HY」是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。

·「5D」是內存晶元類型為DDR，57則為SD類型。

·「U」代表處理工藝及電壓為2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

·「56」代表晶元容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)

·「8」是內存條晶元結構，代表改內存由8顆晶元構成。(4=4顆晶元；8=8顆晶元；16=16顆晶元；32=32顆晶元)

·「2」指內存的bank(儲蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)

·「2」代表介面類型為SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)

·「B」是內核代號為第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)

·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，該內存條的能源消耗代碼為空，因此為普通型。

·封裝類型用「T」表示，即TSOP封裝。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)

·封裝堆棧，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述內存為空白，代表是普通封裝堆棧。

·封裝原料，空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素。該內存為普通封裝材料。

·「D43」表示內存的速度為DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)

·工作溫度，一般被省略。I=工業常溫(-40～85度)；E=擴展溫度(-25～85度)

⑵ 韓國史上最長做空禁令解除，涉及到了哪些大型股

韓國正式解禁賣空近14個月，是韓國歷史上最長的賣空禁令。自全球疫情爆發以來，為了穩定股市，世界上許多國家和地區都出台了臨時措施禁止股票賣空，韓國是世界上最後一個解除相關禁令的國家和地區。解禁賣空主要針對韓國市場市值大、流動性充裕的權重股，約占韓國股市總市值的80%，其中三星電子、SK Hynix等韓國大型股也在其中。

做空的過程

首先，你從一家大型證券結算公司借入一定數量的股票(如泰格證券)，然後在股市上以一定價格賣出。股價下跌後，你回購相當數量的股票，並返還給證券結算公司(老虎證券)。在整個過程中，你只需要向證券結算公司支付清算費用(包括借貸費用、利息和清算費用)，你的利潤就是股票的賣出價格和買入價格之差。

總而言之，股票做空的風險高於一般買股票的。要想賺錢但靠歪點子是不行的，還需要一點運氣。

好了，以上就是本期所要分享的內容了。

⑶ Nandfllash pintopin就可以替換嗎 Hynix f17u1g8f7btr 三星 k

不能夠直接替換，nand Flash替換硬體pin-pin，但軟體需要修改一些東西，根據客戶的要求，一般要改軟體廠商代碼，ECC校驗等等，現在三星，海力士Hynix，鎂光都不做這種小容量的nand Flash了，可以參考台灣旺宏的MX30LF1G18AC-TI和韓國ATO solution的AFND1G08U3-CKA/AFND1208U1-CKA/AFND5608U1-CKAK等等。

⑷ 現代的高端光刻機，哪些國家才能製造

荷蘭和日本。最大的光刻機製造商是荷蘭ASML，這是一家總部設在荷蘭埃因霍芬（Eindhoven）的全球最大的半導體設備製造商之一，向全球復雜集成電路生產企業提供領先的綜合性關鍵設備。ASML的股票分別在阿姆斯特丹及紐約上市。

產品服務

ASML為半導體生產商提供光刻機及相關服務，TWINSCAN系列是目前世界上精度最高，生產效率最高，應用最為廣泛的高端光刻機型。目前全球絕大多數半導體生產廠商，都向ASML采購TWINSCAN機型，比如英特爾（Intel）、三星（Samsung）、海力士（Hynix）、台積電（TSMC）、中芯國際（SMIC）等。

ASML的產品線分為PAS系列、AT系列、XT系列和NXT系列，其中PAS系列現已停產；AT系列屬於老型號，多數已經停產。市場上的主力機種是XT系列以及NXT系列，為ArF和KrF激光光源，XT系列是成熟的機型，分為乾式和沉浸式兩種，而NXT系列則是現在主推的高端機型，全部為沉浸式。

⑸ hynix內存

這串編號是由14組數字組成的，這14組數字代表著14組不同的重要參數，分別如下：

·「HY」是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。

·「5D」是內存晶元類型為DDR，57則為SD類型。

·「U」代表處理工藝及電壓為2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

·「56」代表晶元容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)

·「8」是內存條晶元結構，代表改內存由8顆晶元構成。(4=4顆晶元；8=8顆晶元；16=16顆晶元；32=32顆晶元)

·「2」指內存的bank(儲蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)

·「2」代表介面類型為SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)

·「B」是內核代號為第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)

·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，該內存條的能源消耗代碼為空，因此為普通型。

·封裝類型用「T」表示，即TSOP封裝。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)

·封裝堆棧，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述內存為空白，代表是普通封裝堆棧。

·封裝原料，空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素。該內存為普通封裝材料。

·「D43」表示內存的速度為DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)

·工作溫度，一般被省略。I=工業常溫(-40～85度)；E=擴展溫度(-25～85度)

⑹ HYNIX核心代理

HYNIX亞太區核心代理商-世平集團

Any questions, please feel free to contact me.
Thanks & Best regards

Charles.Chang
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WPG China Inc.WPI Business Group
Shanghai Office.
Tel:86-21-54263188 ext. 3314
Fax:86-21-54260699
E-mail:[email protected]
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大聯大投資控股股份有限公司(台灣證券交易所掛牌上市，股票代號: 3702)正式成立於2005年11月，集團總部位於台北，身為亞洲第一電子通路，結合世平集團、品佳集團、富威集團、凱悌集團與詮鼎集團等亞太區半導體通路領導品牌，員工人數逾3700人，元件代理產線逾200條，服務網遍布亞洲三十多個據點；2009年整體營業額近60億美金，大聯大深耕亞太，是亞洲區市場份額最高之半導體零件分銷商， 2009年再度蟬聯中國媒體國際電子商情「讀者最滿意海外分銷商」，囊括「最佳供貨能力」、「最佳技術支持」、「最佳物流服務」及「最佳電子商務能力」四項專評；連年獲專業網站EETimes評選為「亞洲最大最佳之電子元器件分銷商」，穩踞全球第三大電子零件分銷商；2009年11月旗下大聯大電子(香港) 首次參與角逐即獲頒「香港物流（中型企業）大獎」，在在確立大聯大集團在半導體產業鏈的通路價值。

為提供大聯大在地的服務質量，滿足大中國區服務區域客戶的差異化需求，大聯大(中國)服務六大領域包括中資（China Based Manufacturers）、台商（Taiwan-Based Manufacturers）、外商（Electronic Manufacturing Service）、日商（Japan-Based Manufacturers）、韓商(Korea-Based Manufacturers)及港商(HongKong-Based Manufacturers)客戶。大聯大除提供客戶最佳的交鑰匙解決方案(Turnkey Solution)，並為服務客戶小批量器件采購需求，更特別成立專責的服務團隊(SPP，Strategic Partners Program)。大聯大已分別於內地及香港成立大聯大商貿、大聯大商貿(深圳)及大聯大電子(香港)，以「產業首選，通路標竿」為願景，全面推行「團隊、誠信、專業、效能」之核心價值觀，凝聚團隊共識，落實在地服務，並將持續努力創造供應商、客戶與股東共贏.

⑺ 海力士和海士力有什麼區別

海力士：HYNIX，前身是現代電子，韓國企業。1983年現代電子產業株式會社成立，在1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導體，2001年將公司名稱改為(株)海力士半導體,從現代集團分離出來。2004年10月將系統IC業務出售給花旗集團，成為專業的存儲器製造商。

海士力：HISNY，中海科技所屬品牌，中海科技，中國企業，是DRAM內存模組供應商之一。

二者區別：
Hisny（海士力）內存品牌是中海公司在國家工商總局正式注冊的商標，商標代碼：ZC5222801SL。

HYNIX是全球第二大DRAM廠商，是韓國著名電子企業，在中國無錫設有工廠。

Hisny、HYNIX不是同一產品，更不屬於同一個公司。但是，Hisny（海士力）內存很多情況下也使用HYNIX晶元。

HYNIX是全球大廠，真正的HYNIX晶元產品質量非常可靠。受眾多HYNIX仿冒產品的沖擊，很多用戶誤認為HYNIX是一個質量較差的品牌，這是一個嚴重的認識誤區。

總之：Hisny（海士力）和HYNIX（海力士）屬於兩個不同的品牌，並且沒有任何關系。

⑻ 海力士的發展過程

2013年11月15日海力士在無錫增資25億美元，此次簽約的五期項目將從29納米提升至25納米級,並爭取提升 至10納米級,預計到2016年完成該項技術升級。
2013年09月4日下午3:30左右，無錫Hynix廠房起火，原因未知。
2012年02月韓國第三大財閥SK集團入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月 成立中國無錫市後續工程合作社
04月 世界最先開發低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
03月 世界最先發表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產品認證
02月世界最先開發44nm DDR3 DRAM
01月 世界最先獲得關於以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎的超高速DDR3的英特爾產品認證。
2008年 12月 世界最先開發2Gb Mobile DRAM
11 月引進業界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
08月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技術的16 GB 2-Ran kR-DIMM
為引進嶄新而創新性NAND快閃記憶體存儲器產品及技術的Numonyx及海力士的努力擴大
05月 與ProMOS公司簽署關於加強長期戰略性合作的修改案
04月 為撤回對海力士DRAM的相計關稅的EU理事會的措施表示歡迎開發出世界最高速Mobile LPDDR2
02月 引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
01月 簽署關於在對下一代不揮發性存儲器技術的共同R&D程序上進行合作的合同
2008年發表00MHz、1GB/2GB UDIMM 產品認證
2007年12月成功發行國際可兌換券(global convertible notes)
11月WTO做出判決海力士進口晶元相關報復性關稅一案，日本敗訴。與SiliconFile公司簽署CIS事業合作協議，獲得對 1Gb DDR2 DRAM的英特爾產品認證，業界最先開發1Gb GDDR5 DRAM
10月與Ovonyx公司簽署關於PRAM的技術及許可證合同與環境運動聯合(韓國)簽署關於在環境管理上進行合作的合同
09月以24層疊晶元(stacked chips)，世界最先開發NAND快閃記憶體MCP
08月開發出業界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
07月發表企業中長期總體規劃
05月業界最先獲得關於DDR3 DRAM的英特爾產品認證
04月DOC H3開始大量生產在韓國清州300mm設施開工實現最高水平的營業利潤率
03月開發出世界最高速ECC Mobile DRAM發表「生態標記(ECO Mark)」與Toshiba簽署半導體特許商戶許可證及供應合同
與SanDisk就特許商戶許可證合同達成協議及簽署關於對x4技術建立合作公司的諒解備忘錄(MOU)金鍾甲就任新任 代表理事、社長
01月開發出以「晶圓級封裝(Wafer Level Package)」技術為基礎的超高速存儲器模塊
2006年創下最高業績及利潤
2006年12月業界最先發表60nm 1Gb DDR2 800MHz基礎模塊，開發出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
10月創下創立以來最高業績，通過海力士ST半導體(株)的竣工，構建國際性生產網路
09月300mm研究生產線下線
03月業界最先獲得英特爾對80nm 512Mb DDR2 DRAM的產品認證
01月發表與M-Systems公司的DOC H3共同開發計劃(快閃記憶體驅動器內置的新型DiskOnChip)
2005年12月 世界最先開發512Mb GDDR4、業界最高速度及最高密度Graphics DRAM
11月 業界最先推出JEDEC標准8GB DDR2 R-DIMM
07月 提前從企業重組完善協議中抽身而出
04月 海力士-意法半導體有限公司在中國江蘇無錫舉行開工典禮
03月 發布2004年財務報表，實現高銷售利潤
01月 與台灣茂德科技簽訂戰略性合作夥伴協議
2004年11月 與意法半導體公司（STMicroelectronics)簽訂關於在中國合資建廠的協議
08月 與中國江蘇省無錫市簽訂關於在中國建廠合作協議
07月 獲得公司成立以來最大的季度營業利潤
06月 簽訂非內存事業營業權轉讓協議
03月 行業首次開發超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM獲得Intel的認證
02月 成功開發NAND快閃記憶體
2003年12月 宣布與PromMOS簽署長期的戰略性MOU
08月 宣布發表在DRAM行業的第一個1Gb DDR2問世。
07月 宣布在世界上首次發表DDR500
06月 512M DDR400產品在DRAM業內首次獲得因特爾的認證
05月 採用0.10微米工藝技術投入生產，超低功率256Mb SDRAM投入批量生產
04月 宣布與STMicroelectronics公司簽定協議合作生產NAND快閃記憶體
03月 發表世界上第一個商用級的mega-level FeRAM
2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD業務部門
10月 開發0.10微米、512MB DDR
08月 在世界上首次開發高密度大寬頻256MB的DDR SDRAM
06月 在世界上首次將256MB的SDR SDRAM運用於高終端客戶
03月 開發1G DDR DRAM模塊
2001年08月 開發世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
08月 完成與現代集團的最終分離
07月 剝離CDMA移動通信設備製造業務『Hyundai Syscomm』
05月 剝離通信服務業務『Hyundai CuriTel』
剝離網路業務『Hyundai Networks』
03月 公司更名為「Hynix半導體有限公司」
2000年08月 剝離顯示屏銷售業務『Hyundai Image Quest』
04月 剝離電子線路設計業務『Hyundai Autonet』
1999年10月 合並LG半導體有限公司，成立現代半導體株式會社
03月 出售專業的半導體組裝公司（ChipPAC）
1998年09月 開發64M的DDR SDRAM
1997年05月 在世界上首次開發1G SDRAM
1996年12月 公司股票上市
1989年11月 完成FAB III
09月 開發4M的DRAM
1988年11月 在歐洲當地設立公司（HEE）
01月 開發1M的DRAM
1986年06月 舉行第一次員工文化展覽會「Ami Carnical」
04月 設立半導體研究院
1985年10月 開始批量生產256K的DRAM
1984年09月 完成FAB II-A
1983年02月創立現代電子株式會社，公司概要展望商業領域主要歷程可持續經營，持續經營報告書倫理經營，倫理經營宣言倫 理綱領組織介紹實踐體系產業保安方針在線舉報公司標志

⑼ 現代內存顆粒怎麼識別

認識內存顆粒編號含義認識內存的性能參數一般方法是讀取SPD晶元中的信息,但由於SPD信息需要在開機狀態下查看,而且有一些不法商家也會刷寫SPD晶元中的信息來欺騙消費者。因此,認識內存更好的辦法是識別內存顆粒的編號,當然不能是被打磨過的。通過查看顆粒編號的含義,可以更好地識別內存是否為正品。下面我們以市面上最常見的HY內存顆粒為例簡單介紹內存顆粒編號的含義。 上圖HY內存顆粒的編號為HY5DU56822BT-D43這串編號是由14組數字組成的,這14組數字代表著14組不同的重要參數,分別如下:??「HY」是HYNIX的簡稱,代表著該顆粒是現代製造的產品。??「5D」是內存晶元類型為DDR,57則為SD類型。??「U」代表處理工藝及電壓為2.5V。(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)??「56」代表晶元容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)??「8」是內存條晶元結構,代表改內存由8顆晶元構成。(4=4顆晶元;8=8顆晶元;16=16顆晶元;32=32顆晶元)??「2」指內存的bank(儲蓄位)。(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)??「2」代表介面類型為SSTL_2。(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)??「B」是內核代號為第3代。(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)??能源消耗,空白代表普通;L代表低功耗型,該內存條的能源消耗代碼為空,因此為普通型。??封裝類型用「T」表示,即TSOP封裝。(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA)??封裝堆棧,空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC),上述內存為空白,代表是普通封裝堆棧。??封裝原料,空白=普通;P=鉛;H=鹵素;R=鉛+鹵素。該內存為普通封裝材料。??「D43」表示內存的速度為DDR400。(D43=DDR400,3-3-3;D4=DDR400,3-4-4;J=DDR333;M=DDR333,2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)??工作溫度,一般被省略。I=工業常溫(-40~85度);E=擴展溫度(-25~85度)因此,通過編號「HY5DU56822BT-D43」的內存顆粒我們可以了解到,這是一款DDR SDRAM內存,容量為256MB,採用TSOP封裝,速度為DDR400。由上面各個編號可以看出,其中最重要的是第13個編號,它明確的告訴我們這款內存實際的最高工作頻率是怎樣。例如你的內存的顆粒第13位編號是「J」,而又運行在DDR400的頻率下,那麼這款內存很可能是被超頻使用,超頻使用的內存不僅穩定性能大打折扣,而且其壽命也會受到影響。