A. STC單片機的FLASH程序存儲器、SRAM位元組、EEPROM有什麼區別與聯系
FLASH程序存儲器存程序，單片機上電後會自動從這里讀代碼開始運行。
SRAM是跑程序時候暫存臨時數據的地方，一般不太大，從128位元組到幾K位元組都有，一掉電數據就沒了。
EEPROM是掉電也不丟數據的存儲器，一般都用來存設置的。你可以一位元組一位元組的把每位元組的8位1任意編寫成0。但這片一般是按扇區為單位，一擦除就是全成1。
STC有的片FLASH也能在跑程序的時候由程序控制擦寫。
(1)sram股票代碼擴展閱讀：
特點：
EEPROM可單位元組操作更靈活，FLASH存儲量更大些FLASH：只能塊擦除（叫塊擦除更准確吧，原文是BLOCK），舉例說明：比如你用的FLASH的BLOCK是512個位元組（不同的FLASH大小不同），那麼只有擦除過（所有位寫「1」）的BLOCK才能重新寫入。
意思就是只能從「1」寫到「0」，如果要從「0」改到「1」必須整塊擦除，而且擦除時的速度相對寫入和讀出要慢時的速度相對寫入和讀出要慢時的速度相對寫入和讀出要慢很多。FLASH主要用於程序存儲。EEPROM;可以單位元組操作，沒有塊擦除的要求。相對FLASH更為靈活。
B. ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區別是什麼
1、ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，而RAM通常都是在掉電之後就丟失數據。
2、RAM分為兩大類：SRAM和DRAM。
SRAM為靜態RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。
DRAM為動態RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。RAM價格相比ROM和FLASH要高。
3、LASH存儲器又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據（NVRAM的優勢），U盤和MP3里用的就是這種存儲器。
(2)sram股票代碼擴展閱讀：
存儲器的概念很廣，在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。
計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。
計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）,也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質或光碟等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。
參考資料：存儲器 網路
C. SRAM測試代碼
找不到你之前的問題呀！
D. Flash與SRAM的區別
區別如下：
1.性質不同
Flash是由macromedia公司推出的互動式矢量圖和 Web 動畫的標准，由Adobe公司收購。SRAM是隨機存取存儲器的一種。
2.中文名不同
Flash中文名是固態存儲器與動畫編輯器，SRAM中文名是靜態隨機存取存儲器。
3.用途不同
Flash是一種動畫創作與應用程序開發於一身的創作軟體，Adobe Flash Professional CC為創建數字動畫、互動式Web站點、桌面應用程序以及手機應用程序開發提供了功能全面的創作和編輯環境。SRAM主要用於二級高速緩存（Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數據。
E. 國際知名IT企業有哪些
知名IT企業有哪些
極其流行，同樣也是競爭力極其大的一種商業模式。雖然國內軟體開發公司都發展壯大起來了，但是各地軟體開發公司的實力及資質仍然參差不齊。下面為大家介紹下近期國內軟體開發公司的排名匯總。
1：華盛恆輝科技有限公司
上榜理由：華盛恆輝是一家專注於高端軟體定製開發服務和高端建設的服務機構，致力於為企業提供全面、系統的開發製作方案。在開發、建設到運營推廣領域擁有豐富經驗，我們通過建立對目標客戶和用戶行為的分析，整合高質量設計和極其新技術，為您打造創意十足、有價值的企業品牌。
在軍工領域，合作客戶包括：中央軍委聯合參謀(原總參)、中央軍委後勤保障部(原總後)、中央軍委裝備發展部(原總裝)、裝備研究所、戰略支援、軍事科學院、研究所、航天科工集團、中國航天科技集團、中國船舶工業集團、中國船舶重工集團、第一研究所、訓練器材所、裝備技術研究所等單位。
在民用領域，公司大力拓展民用市場，目前合作的客戶包括中國中鐵電氣化局集團、中國鐵道科學研究院、濟南機務段、東莞軌道交通公司、京港地鐵、中國國電集團、電力科學研究院、水利部、國家發改委、中信銀行、華為公司等大型客戶。
2：五木恆潤科技有限公司
上榜理由：五木恆潤擁有員工300多人，技術人員佔90%以上，是一家專業的軍工信息化建設服務單位，為軍工單位提供完整的信息化解決方案。公司設有股東會、董事會、監事會、工會等上層機構，同時設置總經理職位，由總經理管理公司的具體事務。公司下設有研發部、質量部、市場部、財務部、人事部等機構。公司下轄成都研發中心、西安研發中心、沈陽辦事處、天津辦事處等分支機構。
3、浪潮
浪潮集團有限公司是國家首批認定的規劃布局內的重點軟體企業，中國著名的企業管理軟體、分行業ERP及服務供應商，在咨詢服務、IT規劃、軟體及解決方案等方面具有強大的優勢，形成了以浪潮ERP系列產品PS、GS、GSP三大主要產品。是目前中國高端企業管理軟體領跑者、中國企業管理軟體技術領先者、中國最大的行業ERP與集團管理軟體供應商、國內服務滿意度最高的管理軟體企業。
4、德格Dagle
德格智能SaaS軟體管理系統自德國工業4.0，並且結合國內工廠行業現狀而打造的一款工廠智能化信息平台管理軟體，具備工廠ERP管理、SCRM客戶關系管理、BPM業務流程管理、
OMS訂單管理等四大企業業務信息系統，不僅滿足企業對生產進行簡易管理的需求，並突破區域網應用的局限性，同時使數據管理延伸到互聯網與移動商務，不論是內部的管理應用還是外部的移動應用，都可以在智能SaaS軟體管理系統中進行業務流程的管控。
5、Manage
高亞的產品 (8Manage) 是美國經驗中國研發的企業管理軟體，整個系統架構基於移動互聯網和一體化管理設計而成，其源代碼編寫採用的是最為廣泛應用的
Java / J2EE 開發語言，這樣的技術優勢使 8Manage
可靈活地按需進行客制化，並且非常適用於移動互聯網的業務直通式處理，讓用戶可以隨時隨地通過手機apps進行實時溝通與交易。
F. 如何使用備份SRAM的EEPROM中STM32F4
1.必須做到如下： 啟用壓水堆時鍾
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE);
能夠訪問到備份域
PWR_BackupAccessCmd(ENABLE);
啟用備份SRAM時鍾
RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_BKPSRAM, ENABLE);
啟用備份SRAM的低功耗穩壓器，以保持它在VBAT模式的內容
PWR_BackupRegulatorCmd(ENABLE);
你可以讀/寫數據，建立SRAM（從STM32F4xx_DSP_StdPeriph_Lib BKP_Domain代碼這些代碼）（在我的MCU stm32f417 BKPSRAM_BASE=0x40024000）
// Write to Backup SRAM with 32-Bit Data
for (i = 0x0; i < 0x100; i += 4) {
*(__IO uint32_t *) (BKPSRAM_BASE + i) = i;
}
// Check the written Data
for (i = 0x0; i < 0x100; i += 4) {
if ((*(__IO uint32_t *) (BKPSRAM_BASE + i)) != i){
errorindex++;
}
}
那麼，如果你想 //等到備份SRAM的低功耗穩壓器已准備就緒
while(PWR_GetFlagStatus(PWR_FLAG_BRR) == RESET)
{}
你可以在STM32F4xx_DSP_StdPeriph_Lib找到這些函數。
2. 通過參考手冊STM32F4和stm32f405xx / stm32f407xx書看完後，我同意這是不清楚如何備份SRAM（或所在）。下面是我發現。無論是RTC寄存器和備份SRAM包含存儲的，只要你有電池電量維持量。該RTC含有20寄存器（80位元組）和備份SRAM（這是它自己的周緣上AHB1和位於寄存器地址區域內）包含為0x1000（4096位元組）。無論是默認啟用的。 在DM00037051（stm32f405xx / stm32f407xx數據，P29）：
The 4-Kbyte backup SRAM is an EEPROM-like memory area. It can be used to store
data which need to be retained in VBAT and standby mode. This memory area is
disabled by default to minimize power consumption (see Section 2.2.19:
Low-power modes). It can be enabled by software.
The backup registers are 32-bit registers used to store 80 bytes of user
application data when VDD power is not present. Backup registers are not reset
by a system, a power reset, or when the device wakes up from the Standby mode
(see Section 2.2.19: Low-power modes).
數據表71頁參考手冊和p65在
AHB1 | 0x4002 4000 - 0x4002 4FFF | BKPSRAM
和參考手冊的datatasheet和P67的第73頁
APB1 | 0x4000 2800 - 0x4000 2BFF | RTC & BKP Registers
頁面上啟用備份SRAM和RTC寄存器參考手冊118-119。 注意：如果你是RTC的備份域 CodeGo.net，只需要存儲和LT=80個位元組，那麼你最好的支持RTC寄存器啟用備份SRAM基本上會加倍消耗電流（參見stm32f405 / 7數據表25 ）。 這里是我的寫入和讀取用於備份SRAM和備份函數的RTC寄存器
int8_t write_to_backup_sram( uint8_t *data, uint16_t bytes, uint16_t offset ) {
const uint16_t backup_size = 0x1000;
uint8_t* base_addr = (uint8_t *) BKPSRAM_BASE;
uint16_t i;
if( bytes + offset >= backup_size ) {
/* ERROR : the last byte is outside the backup SRAM region */
return -1;
}
RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_BKPSRAM, ENABLE);
/* disable backup domain write protection */
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE); // set RCC->APB1ENR.pwren
PWR_BackupAccessCmd(ENABLE); // set PWR->CR.dbp = 1;
/** enable the backup regulator (used to maintain the backup SRAM content in
* standby and Vbat modes). NOTE : this bit is not reset when the device
* wakes up from standby, system reset or power reset. You can check that
* the backup regulator is ready on PWR->CSR.brr, see rm p144 */
PWR_BackupRegulatorCmd(ENABLE); // set PWR->CSR.bre = 1;
for( i = 0; i < bytes; i++ ) {
*(base_addr + offset + i) = *(data + i);
}
PWR_BackupAccessCmd(DISABLE); // reset PWR->CR.dbp = 0;
return 0;
}
int8_t read_from_backup_sram( uint8_t *data, uint16_t bytes, uint16_t offset ) {
const uint16_t backup_size = 0x1000;
uint8_t* base_addr = (uint8_t *) BKPSRAM_BASE;
uint16_t i;
if( bytes + offset >= backup_size ) {
/* ERROR : the last byte is outside the backup SRAM region */
return -1;
}
RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_BKPSRAM, ENABLE);
for( i = 0; i < bytes; i++ ) {
*(data + i) = *(base_addr + offset + i);
}
return 0;
}
int8_t write_to_backup_rtc( uint32_t *data, uint16_t bytes, uint16_t offset ) {
const uint16_t backup_size = 80;
volatile uint32_t* base_addr = &(RTC->BKP0R);
uint16_t i;
if( bytes + offset >= backup_size ) {
/* ERROR : the last byte is outside the backup SRAM region */
return -1;
} else if( offset % 4 || bytes % 4 ) {
/* ERROR: data start or num bytes are not word aligned */
return -2;
} else {
bytes >>= 2; /* divide by 4 because writing words */
}
/* disable backup domain write protection */
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE); // set RCC->APB1ENR.pwren
PWR_BackupAccessCmd(ENABLE); // set PWR->CR.dbp = 1;
for( i = 0; i < bytes; i++ ) {
*(base_addr + offset + i) = *(data + i);
}
PWR_BackupAccessCmd(DISABLE); // reset PWR->CR.dbp = 0;
// consider also disabling the power peripherial?
return 0;
}
int8_t read_from_backup_rtc( uint32_t *data, uint16_t bytes, uint16_t offset ) {
const uint16_t backup_size = 80;
volatile uint32_t* base_addr = &(RTC->BKP0R);
uint16_t i;
if( bytes + offset >= backup_size ) {
/* ERROR : the last byte is outside the backup SRAM region */
return -1;
} else if( offset % 4 || bytes % 4 ) {
/* ERROR: data start or num bytes are not word aligned */
return -2;
} else {
bytes >>= 2; /* divide by 4 because writing words */
}
/* read should be 32 bit aligned */
for( i = 0; i < bytes; i++ ) {
*(data + i) = *(base_addr + offset + i);
}
return 0;
}
3. 我是一個STM32F2xx微控制器。根據數據表： 4 KB的備份SRAM是EEPROM般的區域。 保留的RTC備份寄存器的內容......當VDD關閉時，VBAT引腳可以連接到由電池或由另一個源提供的可選的備份電壓。 甲超級電容器，例如，將需要而在微控制器的電源關閉，以保持備份寄存器的內容。 此外，根據本 復位後，備份域（...備份SRAM）進行保護，防止可能有害的寫訪問。要允許訪問備份域，請執行以下操作... 它為您提供了有關如何訪問到備份域通過直接寫入到某些外設寄存器指令。如果你有機會到STM32F4xx庫，你可以這樣調用（注意：我的STM32F2xx庫）：
PWR_BackupAccessCmd(ENABLE);
註：還有更多的是它不是簡單地調用上面的函數，如啟用備份SRAM介面時鍾。咨詢STM32F4系列 有很多嵌入的庫源是無價的，如果它是可用的，應閱讀。 在STM32F2系列微控制器，SRAM位於地址范圍： 0x40024000-0x40024FFF 並且可以被寫入到在位置，例如，如下所示：
#define VAR_LOC ((volatile uint8_t *)(0x40024000))
volatile uint8_t *pVar = VAR_LOC;
*pVar = 5;
G. Cortex的4GB內存與flash,SRAM三者之間到底是怎樣的一個關系
1、4GB內存叫做DDR，是用跑操作系統和用戶應用程序的，不能存儲數據，掉電就沒有了。
2、FLASH是用來存儲操作系統數據和用戶數據，不能運行代碼。
3、SRAM是片上內存，可用來運行程序，但很小，一般做特殊用處，如運行bootloader。
Cortex 系列架構為32位，其定址空間大小為4G（2的32次方）。
晶元製造商在這類晶元上一般是不會有Flash，都是外置的flash，用於存放操作系統和用戶數據。
SRAM為片上資源，程序可以在上面運行。如Cortex-M3晶元，一般用在控制方面，程序不大，就可以用片內的SRAM跑程序。
如果是cortex A9/A8等晶元，應用一般在智能終端上，其需要跑的系統就很大，如Android，內部SRAM根本就不夠用，所以需要用外部DDR。
應該說的很清楚了吧 樓主是否滿意
H. NEC是個什麼品牌啊
NEC公司總部位於日本東京，是全球五大電腦製造商之一，也是為數不多的能夠在半導體、電子器件、通訊、計算機外設、圖像和計算機領域提供全線產品的公司之一。公司在全球共有38個分公司，負責產品的生產和銷售。
公司產品:
NEC公司的電子器件業務部可分為以下幾個分部： 1． 存儲器分部：產品有DRAM、SRAM、快上存儲器等 2． 系統LSI分部：包括微計算機、邏輯IC、ASIC等 3． IC &分立元件部：分立器件、混合半導體 4． 顯示器件部：LCD、PDD等 5． 電子元件部：可充電鋰電池、電容器、印製電路板、繼電器等 6． 汽車電子部：ABS、氣袋模塊等
上市地點：美國NASDAQ
股票代碼：NEC(NIPNY)
主營業務：電器、電子產品，機械產品，通訊設備製造;及其相關配件製造等。
經營規模：NEC擁有超過8萬項國際專利和豐富的獨有技術。日電(中國)有限公司國際采購本部是NEC集團在全球設立的8個海外采購分支機構之一。