⑴ 急问：现代内存条的编号含义
这串编号是由14组数字组成的，这14组数字代表着14组不同的重要参数，分别如下：
·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。
·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)
·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)
·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。
·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)
·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。
·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。
·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)
·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)
⑵ 韩国史上最长做空禁令解除，涉及到了哪些大型股
韩国史上最长做空禁令解除，涉及到三星、SK、Hynix等大型股韩国正式解禁卖空近14个月，是韩国历史上最长的卖空禁令。自全球疫情爆发以来，为了稳定股市，世界上许多国家和地区都出台了临时措施禁止股票卖空，韩国是世界上最后一个解除相关禁令的国家和地区。解禁卖空主要针对韩国市场市值大、流动性充裕的权重股，约占韩国股市总市值的80%，其中三星电子、SK Hynix等韩国大型股也在其中。
做空的过程
首先，你从一家大型证券结算公司借入一定数量的股票(如泰格证券)，然后在股市上以一定价格卖出。股价下跌后，你回购相当数量的股票，并返还给证券结算公司(老虎证券)。在整个过程中，你只需要向证券结算公司支付清算费用(包括借贷费用、利息和清算费用)，你的利润就是股票的卖出价格和买入价格之差。
总而言之，股票做空的风险高于一般买股票的。要想赚钱但靠歪点子是不行的，还需要一点运气。
好了，以上就是本期所要分享的内容了。
⑶ Nandfllash pintopin就可以替换吗 Hynix f17u1g8f7btr 三星 k
不能够直接替换，nand Flash替换硬件pin-pin，但软件需要修改一些东西，根据客户的要求，一般要改软件厂商代码，ECC校验等等，现在三星，海力士Hynix，镁光都不做这种小容量的nand Flash了，可以参考台湾旺宏的MX30LF1G18AC-TI和韩国ATO solution的AFND1G08U3-CKA/AFND1208U1-CKA/AFND5608U1-CKAK等等。
⑷ 现代的高端光刻机，哪些国家才能制造
荷兰和日本。最大的光刻机制造商是荷兰ASML，这是一家总部设在荷兰埃因霍芬（Eindhoven）的全球最大的半导体设备制造商之一，向全球复杂集成电路生产企业提供领先的综合性关键设备。ASML的股票分别在阿姆斯特丹及纽约上市。
产品服务
ASML为半导体生产商提供光刻机及相关服务，TWINSCAN系列是目前世界上精度最高，生产效率最高，应用最为广泛的高端光刻机型。目前全球绝大多数半导体生产厂商，都向ASML采购TWINSCAN机型，比如英特尔（Intel）、三星（Samsung）、海力士（Hynix）、台积电（TSMC）、中芯国际（SMIC）等。
ASML的产品线分为PAS系列、AT系列、XT系列和NXT系列，其中PAS系列现已停产；AT系列属于老型号，多数已经停产。市场上的主力机种是XT系列以及NXT系列，为ArF和KrF激光光源，XT系列是成熟的机型，分为干式和沉浸式两种，而NXT系列则是现在主推的高端机型，全部为沉浸式。
⑸ hynix内存
这串编号是由14组数字组成的，这14组数字代表着14组不同的重要参数，分别如下：
·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。
·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)
·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)
·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。
·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)
·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。
·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。
·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)
·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)
⑹ HYNIX核心代理
HYNIX亚太区核心代理商-世平集团
Any questions, please feel free to contact me.
Thanks & Best regards
Charles.Chang
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WPG China Inc.WPI Business Group
Shanghai Office.
Tel:86-21-54263188 ext. 3314
Fax:86-21-54260699
E-mail:[email protected]
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大联大投资控股股份有限公司(台湾证券交易所挂牌上市，股票代号: 3702)正式成立于2005年11月，集团总部位于台北，身为亚洲第一电子通路，结合世平集团、品佳集团、富威集团、凯悌集团与诠鼎集团等亚太区半导体通路领导品牌，员工人数逾3700人，元件代理产线逾200条，服务网遍布亚洲三十多个据点；2009年整体营业额近60亿美金，大联大深耕亚太，是亚洲区市场份额最高之半导体零件分销商， 2009年再度蝉联中国媒体国际电子商情「读者最满意海外分销商」，囊括「最佳供货能力」、「最佳技术支持」、「最佳物流服务」及「最佳电子商务能力」四项专评；连年获专业网站EETimes评选为「亚洲最大最佳之电子元器件分销商」，稳踞全球第三大电子零件分销商；2009年11月旗下大联大电子(香港) 首次参与角逐即获颁「香港物流（中型企业）大奖」，在在确立大联大集团在半导体产业链的通路价值。
为提供大联大在地的服务质量，满足大中国区服务区域客户的差异化需求，大联大(中国)服务六大领域包括中资（China Based Manufacturers）、台商（Taiwan-Based Manufacturers）、外商（Electronic Manufacturing Service）、日商（Japan-Based Manufacturers）、韩商(Korea-Based Manufacturers)及港商(HongKong-Based Manufacturers)客户。大联大除提供客户最佳的交钥匙解决方案(Turnkey Solution)，并为服务客户小批量器件采购需求，更特别成立专责的服务团队(SPP，Strategic Partners Program)。大联大已分别于内地及香港成立大联大商贸、大联大商贸(深圳)及大联大电子(香港)，以「产业首选，通路标竿」为愿景，全面推行「团队、诚信、专业、效能」之核心价值观，凝聚团队共识，落实在地服务，并将持续努力创造供应商、客户与股东共赢.
⑺ 海力士和海士力有什么区别
海力士：HYNIX，前身是现代电子，韩国企业。1983年现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。
海士力：HISNY，中海科技所属品牌，中海科技，中国企业，是DRAM内存模组供应商之一。
二者区别：
Hisny（海士力）内存品牌是中海公司在国家工商总局正式注册的商标，商标代码：ZC5222801SL。
HYNIX是全球第二大DRAM厂商，是韩国著名电子企业，在中国无锡设有工厂。
Hisny、HYNIX不是同一产品，更不属于同一个公司。但是，Hisny（海士力）内存很多情况下也使用HYNIX芯片。
HYNIX是全球大厂，真正的HYNIX芯片产品质量非常可靠。受众多HYNIX仿冒产品的冲击，很多用户误认为HYNIX是一个质量较差的品牌，这是一个严重的认识误区。
总之：Hisny（海士力）和HYNIX（海力士）属于两个不同的品牌，并且没有任何关系。
⑻ 海力士的发展过程
2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。
2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。
2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。
2009年05月 成立中国无锡市后续工程合作社
04月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM
03月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证
02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM
01月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模块为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。
2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM
11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM
08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工
世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM
为引进崭新而创新性NAND闪存存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大
05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案
04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2
02月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM
01月 签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程序上进行合作的合同
2008年发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证
2007年12月成功发行国际可兑换券(global convertible notes)
11月WTO做出判决海力士进口芯片相关报复性关税一案，日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协议，获得对 1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证，业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM
10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证合同与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的合同
09月以24层叠芯片(stacked chips)，世界最先开发NAND闪存MCP
08月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM
07月发表企业中长期总体规划
05月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证
04月DOC H3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率
03月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM发表“生态标记(ECO Mark)”与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应合同
与SanDisk就特许商户许可证合同达成协议及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)金钟甲就任新任 代表理事、社长
01月开发出以“晶圆级封装(Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模块
2006年创下最高业绩及利润
2006年12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模块，开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM
10月创下创立以来最高业绩，通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网络
09月300mm研究生产线下线
03月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证
01月发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计划(闪存驱动器内置的新型DiskOnChip)
2005年12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM
11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM
07月 提前从企业重组完善协议中抽身而出
04月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼
03月 发布2004年财务报表，实现高销售利润
01月 与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协议
2004年11月 与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协议
08月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协议
07月 获得公司成立以来最大的季度营业利润
06月 签订非内存事业营业权转让协议
03月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证
02月 成功开发NAND闪存
2003年12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU
08月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。
07月 宣布在世界上首次发表DDR500
06月 512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证
05月 采用0.10微米工艺技术投入生产，超低功率256Mb SDRAM投入批量生产
04月 宣布与STMicroelectronics公司签定协议合作生产NAND闪存
03月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM
2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD业务部门
10月 开发0.10微米、512MB DDR
08月 在世界上首次开发高密度大宽带256MB的DDR SDRAM
06月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户
03月 开发1G DDR DRAM模块
2001年08月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM
08月 完成与现代集团的最终分离
07月 剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’
05月 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’
剥离网络业务‘Hyundai Networks’
03月 公司更名为“Hynix半导体有限公司”
2000年08月 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’
04月 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Autonet’
1999年10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社
03月 出售专业的半导体组装公司（ChipPAC）
1998年09月 开发64M的DDR SDRAM
1997年05月 在世界上首次开发1G SDRAM
1996年12月 公司股票上市
1989年11月 完成FAB III
09月 开发4M的DRAM
1988年11月 在欧洲当地设立公司（HEE）
01月 开发1M的DRAM
1986年06月 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical”
04月 设立半导体研究院
1985年10月 开始批量生产256K的DRAM
1984年09月 完成FAB II-A
1983年02月创立现代电子株式会社，公司概要展望商业领域主要历程可持续经营，持续经营报告书伦理经营，伦理经营宣言伦 理纲领组织介绍实践体系产业保安方针在线举报公司标志
⑼ 现代内存颗粒怎么识别
认识内存颗粒编号含义认识内存的性能参数一般方法是读取SPD芯片中的信息,但由于SPD信息需要在开机状态下查看,而且有一些不法商家也会刷写SPD芯片中的信息来欺骗消费者。因此,认识内存更好的办法是识别内存颗粒的编号,当然不能是被打磨过的。通过查看颗粒编号的含义,可以更好地识别内存是否为正品。下面我们以市面上最常见的HY内存颗粒为例简单介绍内存颗粒编号的含义。 上图HY内存颗粒的编号为HY5DU56822BT-D43这串编号是由14组数字组成的,这14组数字代表着14组不同的重要参数,分别如下:??“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。??“5D”是内存芯片类型为DDR,57则为SD类型。??“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)??“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)??“8”是内存条芯片结构,代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)??“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)??“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)??“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)??能源消耗,空白代表普通;L代表低功耗型,该内存条的能源消耗代码为空,因此为普通型。??封装类型用“T”表示,即TSOP封装。(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA)??封装堆栈,空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC),上述内存为空白,代表是普通封装堆栈。??封装原料,空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。??“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400,3-3-3;D4=DDR400,3-4-4;J=DDR333;M=DDR333,2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)??工作温度,一般被省略。I=工业常温(-40~85度);E=扩展温度(-25~85度)因此,通过编号“HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到,这是一款DDR SDRAM内存,容量为256MB,采用TSOP封装,速度为DDR400。由上面各个编号可以看出,其中最重要的是第13个编号,它明确的告诉我们这款内存实际的最高工作频率是怎样。例如你的内存的颗粒第13位编号是“J”,而又运行在DDR400的频率下,那么这款内存很可能是被超频使用,超频使用的内存不仅稳定性能大打折扣,而且其寿命也会受到影响。