A. STC单片机的FLASH程序存储器、SRAM字节、EEPROM有什么区别与联系
FLASH程序存储器存程序，单片机上电后会自动从这里读代码开始运行。
SRAM是跑程序时候暂存临时数据的地方，一般不太大，从128字节到几K字节都有，一掉电数据就没了。
EEPROM是掉电也不丢数据的存储器，一般都用来存设置的。你可以一字节一字节的把每字节的8位1任意编写成0。但这片一般是按扇区为单位，一擦除就是全成1。
STC有的片FLASH也能在跑程序的时候由程序控制擦写。
(1)sram股票代码扩展阅读：
特点：
EEPROM可单字节操作更灵活，FLASH存储量更大些FLASH：只能块擦除（叫块擦除更准确吧，原文是BLOCK），举例说明：比如你用的FLASH的BLOCK是512个字节（不同的FLASH大小不同），那么只有擦除过（所有位写“1”）的BLOCK才能重新写入。
意思就是只能从“1”写到“0”，如果要从“0”改到“1”必须整块擦除，而且擦除时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢很多。FLASH主要用于程序存储。EEPROM;可以单字节操作，没有块擦除的要求。相对FLASH更为灵活。
B. ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别是什么
1、ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据。
2、RAM分为两大类：SRAM和DRAM。
SRAM为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
DRAM为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。RAM价格相比ROM和FLASH要高。
3、LASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。
(2)sram股票代码扩展阅读：
存储器的概念很广，在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等；在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等。
计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。
计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）,也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。
参考资料：存储器 网络
C. SRAM测试代码
找不到你之前的问题呀！
D. Flash与SRAM的区别
区别如下：
1.性质不同
Flash是由macromedia公司推出的交互式矢量图和 Web 动画的标准，由Adobe公司收购。SRAM是随机存取存储器的一种。
2.中文名不同
Flash中文名是固态存储器与动画编辑器，SRAM中文名是静态随机存取存储器。
3.用途不同
Flash是一种动画创作与应用程序开发于一身的创作软件，Adobe Flash Professional CC为创建数字动画、交互式Web站点、桌面应用程序以及手机应用程序开发提供了功能全面的创作和编辑环境。SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。
E. 国际知名IT企业有哪些
知名IT企业有哪些
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3、浪潮
浪潮集团有限公司是国家首批认定的规划布局内的重点软件企业，中国著名的企业管理软件、分行业ERP及服务供应商，在咨询服务、IT规划、软件及解决方案等方面具有强大的优势，形成了以浪潮ERP系列产品PS、GS、GSP三大主要产品。是目前中国高端企业管理软件领跑者、中国企业管理软件技术领先者、中国最大的行业ERP与集团管理软件供应商、国内服务满意度最高的管理软件企业。
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Java / J2EE 开发语言，这样的技术优势使 8Manage
可灵活地按需进行客制化，并且非常适用于移动互联网的业务直通式处理，让用户可以随时随地通过手机apps进行实时沟通与交易。
F. 如何使用备份SRAM的EEPROM中STM32F4
1.必须做到如下： 启用压水堆时钟
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE);
能够访问到备份域
PWR_BackupAccessCmd(ENABLE);
启用备份SRAM时钟
RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_BKPSRAM, ENABLE);
启用备份SRAM的低功耗稳压器，以保持它在VBAT模式的内容
PWR_BackupRegulatorCmd(ENABLE);
你可以读/写数据，建立SRAM（从STM32F4xx_DSP_StdPeriph_Lib BKP_Domain代码这些代码）（在我的MCU stm32f417 BKPSRAM_BASE=0x40024000）
// Write to Backup SRAM with 32-Bit Data
for (i = 0x0; i < 0x100; i += 4) {
*(__IO uint32_t *) (BKPSRAM_BASE + i) = i;
}
// Check the written Data
for (i = 0x0; i < 0x100; i += 4) {
if ((*(__IO uint32_t *) (BKPSRAM_BASE + i)) != i){
errorindex++;
}
}
那么，如果你想 //等到备份SRAM的低功耗稳压器已准备就绪
while(PWR_GetFlagStatus(PWR_FLAG_BRR) == RESET)
{}
你可以在STM32F4xx_DSP_StdPeriph_Lib找到这些函数。
2. 通过参考手册STM32F4和stm32f405xx / stm32f407xx书看完后，我同意这是不清楚如何备份SRAM（或所在）。下面是我发现。无论是RTC寄存器和备份SRAM包含存储的，只要你有电池电量维持量。该RTC含有20寄存器（80字节）和备份SRAM（这是它自己的周缘上AHB1和位于寄存器地址区域内）包含为0x1000（4096字节）。无论是默认启用的。 在DM00037051（stm32f405xx / stm32f407xx数据，P29）：
The 4-Kbyte backup SRAM is an EEPROM-like memory area. It can be used to store
data which need to be retained in VBAT and standby mode. This memory area is
disabled by default to minimize power consumption (see Section 2.2.19:
Low-power modes). It can be enabled by software.
The backup registers are 32-bit registers used to store 80 bytes of user
application data when VDD power is not present. Backup registers are not reset
by a system, a power reset, or when the device wakes up from the Standby mode
(see Section 2.2.19: Low-power modes).
数据表71页参考手册和p65在
AHB1 | 0x4002 4000 - 0x4002 4FFF | BKPSRAM
和参考手册的datatasheet和P67的第73页
APB1 | 0x4000 2800 - 0x4000 2BFF | RTC & BKP Registers
页面上启用备份SRAM和RTC寄存器参考手册118-119。 注意：如果你是RTC的备份域 CodeGo.net，只需要存储和LT=80个字节，那么你最好的支持RTC寄存器启用备份SRAM基本上会加倍消耗电流（参见stm32f405 / 7数据表25 ）。 这里是我的写入和读取用于备份SRAM和备份函数的RTC寄存器
int8_t write_to_backup_sram( uint8_t *data, uint16_t bytes, uint16_t offset ) {
const uint16_t backup_size = 0x1000;
uint8_t* base_addr = (uint8_t *) BKPSRAM_BASE;
uint16_t i;
if( bytes + offset >= backup_size ) {
/* ERROR : the last byte is outside the backup SRAM region */
return -1;
}
RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_BKPSRAM, ENABLE);
/* disable backup domain write protection */
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE); // set RCC->APB1ENR.pwren
PWR_BackupAccessCmd(ENABLE); // set PWR->CR.dbp = 1;
/** enable the backup regulator (used to maintain the backup SRAM content in
* standby and Vbat modes). NOTE : this bit is not reset when the device
* wakes up from standby, system reset or power reset. You can check that
* the backup regulator is ready on PWR->CSR.brr, see rm p144 */
PWR_BackupRegulatorCmd(ENABLE); // set PWR->CSR.bre = 1;
for( i = 0; i < bytes; i++ ) {
*(base_addr + offset + i) = *(data + i);
}
PWR_BackupAccessCmd(DISABLE); // reset PWR->CR.dbp = 0;
return 0;
}
int8_t read_from_backup_sram( uint8_t *data, uint16_t bytes, uint16_t offset ) {
const uint16_t backup_size = 0x1000;
uint8_t* base_addr = (uint8_t *) BKPSRAM_BASE;
uint16_t i;
if( bytes + offset >= backup_size ) {
/* ERROR : the last byte is outside the backup SRAM region */
return -1;
}
RCC_AHB1PeriphClockCmd(RCC_AHB1Periph_BKPSRAM, ENABLE);
for( i = 0; i < bytes; i++ ) {
*(data + i) = *(base_addr + offset + i);
}
return 0;
}
int8_t write_to_backup_rtc( uint32_t *data, uint16_t bytes, uint16_t offset ) {
const uint16_t backup_size = 80;
volatile uint32_t* base_addr = &(RTC->BKP0R);
uint16_t i;
if( bytes + offset >= backup_size ) {
/* ERROR : the last byte is outside the backup SRAM region */
return -1;
} else if( offset % 4 || bytes % 4 ) {
/* ERROR: data start or num bytes are not word aligned */
return -2;
} else {
bytes >>= 2; /* divide by 4 because writing words */
}
/* disable backup domain write protection */
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE); // set RCC->APB1ENR.pwren
PWR_BackupAccessCmd(ENABLE); // set PWR->CR.dbp = 1;
for( i = 0; i < bytes; i++ ) {
*(base_addr + offset + i) = *(data + i);
}
PWR_BackupAccessCmd(DISABLE); // reset PWR->CR.dbp = 0;
// consider also disabling the power peripherial?
return 0;
}
int8_t read_from_backup_rtc( uint32_t *data, uint16_t bytes, uint16_t offset ) {
const uint16_t backup_size = 80;
volatile uint32_t* base_addr = &(RTC->BKP0R);
uint16_t i;
if( bytes + offset >= backup_size ) {
/* ERROR : the last byte is outside the backup SRAM region */
return -1;
} else if( offset % 4 || bytes % 4 ) {
/* ERROR: data start or num bytes are not word aligned */
return -2;
} else {
bytes >>= 2; /* divide by 4 because writing words */
}
/* read should be 32 bit aligned */
for( i = 0; i < bytes; i++ ) {
*(data + i) = *(base_addr + offset + i);
}
return 0;
}
3. 我是一个STM32F2xx微控制器。根据数据表： 4 KB的备份SRAM是EEPROM般的区域。 保留的RTC备份寄存器的内容......当VDD关闭时，VBAT引脚可以连接到由电池或由另一个源提供的可选的备份电压。 甲超级电容器，例如，将需要而在微控制器的电源关闭，以保持备份寄存器的内容。 此外，根据本 复位后，备份域（...备份SRAM）进行保护，防止可能有害的写访问。要允许访问备份域，请执行以下操作... 它为您提供了有关如何访问到备份域通过直接写入到某些外设寄存器指令。如果你有机会到STM32F4xx库，你可以这样调用（注意：我的STM32F2xx库）：
PWR_BackupAccessCmd(ENABLE);
注：还有更多的是它不是简单地调用上面的函数，如启用备份SRAM接口时钟。咨询STM32F4系列 有很多嵌入的库源是无价的，如果它是可用的，应阅读。 在STM32F2系列微控制器，SRAM位于地址范围： 0x40024000-0x40024FFF 并且可以被写入到在位置，例如，如下所示：
#define VAR_LOC ((volatile uint8_t *)(0x40024000))
volatile uint8_t *pVar = VAR_LOC;
*pVar = 5;
G. Cortex的4GB内存与flash,SRAM三者之间到底是怎样的一个关系
1、4GB内存叫做DDR，是用跑操作系统和用户应用程序的，不能存储数据，掉电就没有了。
2、FLASH是用来存储操作系统数据和用户数据，不能运行代码。
3、SRAM是片上内存，可用来运行程序，但很小，一般做特殊用处，如运行bootloader。
Cortex 系列架构为32位，其寻址空间大小为4G（2的32次方）。
芯片制造商在这类芯片上一般是不会有Flash，都是外置的flash，用于存放操作系统和用户数据。
SRAM为片上资源，程序可以在上面运行。如Cortex-M3芯片，一般用在控制方面，程序不大，就可以用片内的SRAM跑程序。
如果是cortex A9/A8等芯片，应用一般在智能终端上，其需要跑的系统就很大，如Android，内部SRAM根本就不够用，所以需要用外部DDR。
应该说的很清楚了吧 楼主是否满意
H. NEC是个什么品牌啊
NEC公司总部位于日本东京，是全球五大电脑制造商之一，也是为数不多的能够在半导体、电子器件、通讯、计算机外设、图像和计算机领域提供全线产品的公司之一。公司在全球共有38个分公司，负责产品的生产和销售。
公司产品:
NEC公司的电子器件业务部可分为以下几个分部： 1． 存储器分部：产品有DRAM、SRAM、快上存储器等 2． 系统LSI分部：包括微计算机、逻辑IC、ASIC等 3． IC &分立元件部：分立器件、混合半导体 4． 显示器件部：LCD、PDD等 5． 电子元件部：可充电锂电池、电容器、印制电路板、继电器等 6． 汽车电子部：ABS、气袋模块等
上市地点：美国NASDAQ
股票代码：NEC(NIPNY)
主营业务：电器、电子产品，机械产品，通讯设备制造;及其相关配件制造等。
经营规模：NEC拥有超过8万项国际专利和丰富的独有技术。日电(中国)有限公司国际采购本部是NEC集团在全球设立的8个海外采购分支机构之一。